[实用新型]一种半导体硅片手动酸腐蚀装置有效
申请号: | 201420268828.0 | 申请日: | 2014-05-26 |
公开(公告)号: | CN203941888U | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 孙智武;陈卫群;寇文杰 | 申请(专利权)人: | 洛阳单晶硅有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 洛阳明律专利代理事务所 41118 | 代理人: | 卢洪方 |
地址: | 471009 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 一种半导体硅片手动酸腐蚀装置,用于采用化学方法去除硅片表面在切片、磨片等机加过程中产生的损伤层和油污,获得洁净光亮、几何参数完善的腐蚀硅片。本装置的腐蚀槽(1)分隔成硅片腐蚀区(2)、热交换区(6)、循环区(9)、循环排气区(11)即相互独立又相互连通的四个区,混酸在腐蚀槽(1)内部循环流动。待腐蚀硅片放在腐蚀滚柱(14)的凹槽15中,驱动装置(16)驱动两根腐蚀滚柱(14)转动。混酸在压空的驱动下,从热交换区(6)到循环区(9)、循环排气区(11)再到硅片腐蚀区(2)。硅片全部浸没到硅片腐蚀区(2)的混酸内发生化学反应,通过调整混酸供应管(7)的流量、压空进气管(10)的流量和压力、冷却水管(8)的流量和温度,可有效控制硅片反应温度、反应速度、腐蚀去除量的控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 硅片 手动 酸腐 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体硅片手动酸腐蚀装置,其特征是:所述的一种半导体硅片手动酸腐蚀装置主要是由腐蚀槽(1)、活动提篮(3)、网状滤板(4)、网状隔板(5)、混酸供应管(7)、冷却水管(8)、压空进气管(10)、酸雾排风管(12)、腐蚀架(13)、腐蚀滚柱(14)、驱动装置(16)构成;其中腐蚀槽(1)用隔离板分隔成硅片腐蚀区(2)、热交换区(6)、循环区(9)、循环排气区(11)四个区;四个区即相互独立又相互连通,在硅片腐蚀区(2)底部设有一个带网状滤板(4)的活动提篮(3),硅片腐蚀区(2)与热交换区(6)用网状隔板(5)隔开;热交换区(6)的腔体内装有多根冷却水管(8),热交换区(6)的顶部与混酸供应管(7)连接,冷却水管(8)的进水管路上装有流量计;循环区(9)的底部装有一根带孔的压空进气管(10);压空进气管(10)上装有流量计和压力表;循环排气区(11)的上部设有酸雾排风管(12);腐蚀架(13)上有两根带齿的腐蚀滚柱(14),通过驱动装置(16)上的齿轮传动驱动腐蚀滚柱(14)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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