[实用新型]一种半导体硅片手动酸腐蚀装置有效

专利信息
申请号: 201420268828.0 申请日: 2014-05-26
公开(公告)号: CN203941888U 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 孙智武;陈卫群;寇文杰 申请(专利权)人: 洛阳单晶硅有限责任公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 洛阳明律专利代理事务所 41118 代理人: 卢洪方
地址: 471009 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种半导体硅片手动酸腐蚀装置,用于采用化学方法去除硅片表面在切片、磨片等机加过程中产生的损伤层和油污,获得洁净光亮、几何参数完善的腐蚀硅片。本装置的腐蚀槽(1)分隔成硅片腐蚀区(2)、热交换区(6)、循环区(9)、循环排气区(11)即相互独立又相互连通的四个区,混酸在腐蚀槽(1)内部循环流动。待腐蚀硅片放在腐蚀滚柱(14)的凹槽15中,驱动装置(16)驱动两根腐蚀滚柱(14)转动。混酸在压空的驱动下,从热交换区(6)到循环区(9)、循环排气区(11)再到硅片腐蚀区(2)。硅片全部浸没到硅片腐蚀区(2)的混酸内发生化学反应,通过调整混酸供应管(7)的流量、压空进气管(10)的流量和压力、冷却水管(8)的流量和温度,可有效控制硅片反应温度、反应速度、腐蚀去除量的控制。
搜索关键词: 一种 半导体 硅片 手动 酸腐 装置
【主权项】:
一种半导体硅片手动酸腐蚀装置,其特征是:所述的一种半导体硅片手动酸腐蚀装置主要是由腐蚀槽(1)、活动提篮(3)、网状滤板(4)、网状隔板(5)、混酸供应管(7)、冷却水管(8)、压空进气管(10)、酸雾排风管(12)、腐蚀架(13)、腐蚀滚柱(14)、驱动装置(16)构成;其中腐蚀槽(1)用隔离板分隔成硅片腐蚀区(2)、热交换区(6)、循环区(9)、循环排气区(11)四个区;四个区即相互独立又相互连通,在硅片腐蚀区(2)底部设有一个带网状滤板(4)的活动提篮(3),硅片腐蚀区(2)与热交换区(6)用网状隔板(5)隔开;热交换区(6)的腔体内装有多根冷却水管(8),热交换区(6)的顶部与混酸供应管(7)连接,冷却水管(8)的进水管路上装有流量计;循环区(9)的底部装有一根带孔的压空进气管(10);压空进气管(10)上装有流量计和压力表;循环排气区(11)的上部设有酸雾排风管(12);腐蚀架(13)上有两根带齿的腐蚀滚柱(14),通过驱动装置(16)上的齿轮传动驱动腐蚀滚柱(14)。
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