[实用新型]一种激光退火设备有效
| 申请号： | 201420283913.4 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN203950784U | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种激光退火设备，其包括激光发射装置和退火窗口，激光发射装置能够发射用于对工件进行退火的激光束，且该激光束自退火窗口的上方射向所述退火窗口，退火窗口的下方设有喷管，该喷管用于向所述退火窗口的下表面喷射气体。上述激光退火设备可以去除附着于退火窗口下表面并影响激光穿过的颗粒物，使照射至工件上的激光束具有均匀的能量密度，从而可以获得良好的退火效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 退火 设备 | ||
【主权项】：
一种激光退火设备，包括激光发射装置和退火窗口，所述激光发射装置能够发射用于对工件进行退火的激光束，且所述激光束自所述退火窗口的上方射向所述退火窗口，其特征在于，所述退火窗口的下方设有喷管，所述喷管用于向所述退火窗口的下表面喷射气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420283913.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶圆扫描映射成像系统
- 下一篇：一种显微镜测试样品台
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
