[实用新型]TTL驱动的高速全桥MOSFET驱动器有效
| 申请号： | 201420288938.3 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN203896325U | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 曹俭荣 | 申请（专利权）人： | 岳阳高新技术产业开发区天元电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/78 | 分类号： | H03K17/78 |
| 代理公司： | 岳阳市科明专利事务所 43203 | 代理人： | 彭乃恩;陈庆元 |
| 地址： | 414000 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种TTL驱动的高速全桥MOSFET驱动器。包括高速全桥驱动芯片、低边mosfet驱动器、高速光电耦合器，所述的信号（sinPD）经高速光电耦合器（TLP115）隔离后输出到电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020）的输入端，驱动芯片（MIC5020）的输出端（GATE）与一射极偏置的双极性三极管相连，电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020）的（非FAULT）端连接到共射三极管Q4的基极，共射三极管Q4的集电极连接到全桥mosfet驱动芯片（IRS2453）的关断端（SD）。本实用新型具有电路简单，抗干扰能力强，可靠性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | ttl 驱动 高速 mosfet 驱动器 | ||
【主权项】：
一种TTL驱动的高速全桥mosfet驱动器，其特征在于包括高速全桥驱动芯片、低边mosfet驱动器、高速光电耦合器，TTL信号（sinPD）经高速光电耦合器（TLP115）隔离后输出到电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020）的输入端，驱动芯片（MIC5020）的输出端（GATE）与一射极偏置的双极性三极管相连，电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020）的非FAULT端连接到共射三极管Q4的基极，共射三极管Q4的集电极连接到全桥mosfet驱动芯片（IRS2453）的关断端（SD）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于岳阳高新技术产业开发区天元电子技术有限公司，未经岳阳高新技术产业开发区天元电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420288938.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蓝牙无线智能触摸开关
- 下一篇：集成双极型开关管
