[实用新型]双向触发二极管芯片有效
| 申请号： | 201420290981.3 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN204088329U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王英杰;徐敏杰;刘宪成;崔建 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双向触发二极管芯片，包括：形成于一衬底正面上的外延层；形成于所述衬底与外延层之间的埋层；形成于所述外延层中的基区、二极管掺杂区、电阻区；形成于所述基区中的发射区；以及贯穿所述外延层并延伸至衬底中的隔离槽。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 触发 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种双向触发二极管芯片，其特征在于，包括： 形成于一衬底正面上的外延层； 形成于所述衬底与外延层之间的埋层； 形成于所述外延层中的基区、二极管掺杂区、电阻区； 形成于所述基区中的发射区；以及 贯穿所述外延层并延伸至衬底中的隔离槽。
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