[实用新型]一种连续快速生长石墨烯的气相沉积装置有效
申请号: | 201420304385.6 | 申请日: | 2014-06-09 |
公开(公告)号: | CN203890440U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 王姣霞;汪伟;刘兆平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种连续快速生长石墨烯的气相沉积装置,旨在解决石墨烯在基体上的快速连续生长问题,同时解决能量和原料无法得到有效利用的问题。通过卷材在反应腔体中U型排列或S型排列,实现了在反应腔体的一端连续进样和取样,连续生产;卷材的U型排列或S型排列有效利用了反应腔体内的空间,同时在相同生长时间内因卷材的多次卷绕提高了生长效率有效利用了能量,节约了成本;石墨烯在反应腔体内以卷材为基体快速生长,有效利用了反应腔体内的生长气体,节约了成本,提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 连续 快速 生长 石墨 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种连续快速生长石墨烯的气相沉积装置,包括炉体(5)和反应腔体(1),其特征在于,还包括驱动装置;且所述反应腔体(1)的端部开设有进样口和出样口,所述驱动装置能够带动基体(4)由所述进样口进入所述反应腔体(1),由所述出样口离开所述反应腔体(1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所,未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420304385.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的