[实用新型]一种生长在Si图形衬底上的LED外延片有效
| 申请号： | 201420307767.4 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN203910840U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种生长在Si图形衬底上的LED外延片,其包括Si图形衬底，所述Si图形衬底的晶体取向为(111)，其上分布有若干个形状相同的图形凸起；在所述Si图形衬底上依次生长有AlN缓冲层、AlGaN步进缓冲层、u-GaN层、n-GaN层、InGaN/GaN量子阱层及p-GaN层；在每个图形凸起的顶部形成有空洞。本实用新型使用Si为衬底，同时结合图形衬底和空洞，促进薄膜的横向外延生长，提升结晶质量，有效缓解应力情况以解决裂纹问题，并规避Si图形衬底的吸光难点，获得的LED外延片光电性能好、晶体质量高，适合应用在LED器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 si 图形 衬底 led 外延 | ||
【主权项】：
一种生长在Si图形衬底上的LED外延片，其特征在于：其包括Si图形衬底，所述Si图形衬底的晶体取向为(111)，其上分布有若干个形状相同的图形凸起；在所述Si图形衬底上依次生长有AlN缓冲层、AlGaN步进缓冲层、u‑GaN层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层及p‑GaN层；在每个图形凸起的顶部形成有空洞。
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