[实用新型]晶片装配抗氧化装置有效
申请号: | 201420325167.0 | 申请日: | 2014-06-18 |
公开(公告)号: | CN203882975U | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 胡庆伟 | 申请(专利权)人: | 四川蓝彩电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英;詹权松 |
地址: | 629000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种晶片装配抗氧化装置,高温密封装配舱(1)内设置有用于放置接料引线(2)的支架(3),晶片(4)装配在接料引线(2)上;高温密封装配舱(1)的壁上设置有至少一个抗氧化气体导入口(5),抗氧化气体导入口(5)通过安装组件(6)固定安装在高温密封装配舱(1)的壁上。本实用新型在装配晶片时向高温密封装配舱内注入氢气、氮气等抗氧化气体,可有效避免晶片在高温环境下被氧化;换气方式采用抽真空泵,先将高温密封装配舱内的空气排空形成负压,再通过抗氧化气体导入口注入抗氧化气体,气密性好;安装组件采用法兰结构,结构简单、成本低,且设置了密封垫圈,进一步提高了高温密封装配舱的气密性。 | ||
搜索关键词: | 晶片 装配 氧化 装置 | ||
【主权项】:
晶片装配抗氧化装置,其特征在于:它包括高温密封装配舱(1),高温密封装配舱(1)内设置有用于放置接料引线(2)的支架(3),晶片(4)装配在接料引线(2)上;所述的高温密封装配舱(1)的壁上设置有至少一个抗氧化气体导入口(5),抗氧化气体导入口(5)通过安装组件(6)固定安装在高温密封装配舱(1)的壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造