[实用新型]一种晶格匹配的LED外延结构

摘要

本实用新型涉及一种晶格匹配的LED外延结构，本实用新型涉及一种从成核层、未掺杂层、n型层、发光层和p型层都具极化匹配的氮化物发光二极管外延结构及制备方法，属于光电子技术领域。该外延结构由下至上依次设置有衬底、Al_xGa_1-x-yIn_yN成核层、未掺杂的Al_xGa_1-x-yIn_yN层、n型掺杂的Al_xGa_1-x-yIn_yN层、In_aGa_1-aN阱层和Al_xGa_1-x-yIn_yN垒层构成的多量子阱发光层和p型掺杂的Al_xGa_1-x-yIn_yN层。与传统结构相比，该外延结构从成核层开始到发光层区间和P型掺杂层均采用与发光层阱材料相匹配的四元Al_xGa_1-x-yIn_yN材料，消除了发光层内阱与垒间的压电极化效应，提高了LED的内量子发光效率。

主权项

一种晶格匹配的LED外延结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上，由下至上依次设置有Al_xGa_1‑x‑yIn_yN成核层、未掺杂的Al_xGa_1‑x‑yIn_yN层、n型掺杂的Al_xGa_1‑x‑yIn_yN层、In_aGa_1‑aN阱层和Al_xGa_1‑x‑yIn_yN垒层构成的多量子阱发光层和p型掺杂的Al_xGa_1‑x‑yIn_yN层；各层的Al_xGa_1‑x‑yIn_yN的晶格常数与多量子阱发光层的阱层In_aGa_1‑aN的晶格常数相同，各层的Al_xGa_1‑x‑yIn_yN的带隙宽度大于多量子阱发光层的阱层In_aGa_1‑aN的带隙宽度。