[实用新型]非挥发性的光学记忆单元结构有效
| 申请号： | 201420354906.9 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN203941358U | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李燕;徐超;余辉;杨建义;江晓清 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种非挥发性的光学记忆单元结构。遂穿层、电荷存储层、阻挡层和控制栅层依次生长于光波导上，还包括用于增大光波的传播常数调制范围的石墨烯层；石墨烯层置于遂穿层和光波导之间；或置于遂穿层和电荷存储层构成的电容之间或者电荷存储层和控制栅层构成的电容之间；代替控制栅层或电荷存储层。本实用新型适用于非挥发性光学器件，由于浮栅结构的非挥发性存储特性和石墨烯材料的超强电光效应，施加较小电压就可较大改变光学器件内传输模式的有效折射率，从而实现对光波的非挥发调控；用于集成光学，不需要长期对光学器件供电就可使其保持工作状态而减小功耗；可采用普通SOI硅片，具有良好CMOS工艺兼容性，实现大规模集成。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 光学 记忆 单元 结构 | ||
【主权项】：
一种非挥发性的光学记忆单元结构，遂穿层（4）、电荷存储层（3）、阻挡层（2）和控制栅层（1）依次生长于光波导（5）上，其特征在于：还包括用于增大传输模式的有效折射率调制范围的石墨烯层（9）。
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