[实用新型]一种连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备有效
申请号: | 201420383726.3 | 申请日: | 2014-07-11 |
公开(公告)号: | CN204067313U | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 谢振勇;成秋云;吴得轶;李晔纯;周顺峰 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强;李发军 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备。为了解决现有的紫外光/臭氧表面清洗与氧化改性设备中存在的工艺时间过长,设备自动化程度不高的问题,所述表面清洗与氧化改性设备主要由上下料传送系统、预热腔、工艺腔、冷却腔、真空系统、紫外光光源系统、自动控制与监测系统组成。上下料传送系统采用链轮和链条带动滚轴,滚轴带动轴上小滚球转动的传动方式;预热腔、工艺腔与冷却腔紧凑连接,和上下料传送系统构成连续型结构;真空系统采用两个真空泵来快速地保持各腔室的真空环境。本实用新型样品清洗和氧化改性效果好,设备安全可靠,操作简单,自动化程度高,极大的提高了生产的质量和效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 连续 真空 紫外光 臭氧 表面 清洗 氧化 改性 设备 | ||
【主权项】:
一种连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备,包括工艺腔(3),以及设置在工艺腔(3)内的紫外光光源系统(5),其特征在于, 还包括预热腔(2)、冷却腔(4);所述预热腔(2)和冷却腔(4)壁面上开有保护气入口(14,16),所述工艺腔(3)壁面上开有氧气进气口(15);所述工艺腔(3)设置在预热腔(2)和冷却腔(4)之间并通过腔室门(11,12)隔开,所述预热腔(2)进料口和冷却腔(4)的出料口也设有相应的腔室门(10,13);所述预热腔(2)、工艺腔(3)、冷却腔(4)内以及预热腔(2)的进料口(8)和冷却腔(4)的出料口(9)处均设有可将被处理样品按需要从预热腔(2)进料口(8)传送至冷却腔(4)出料口(9)的上下料传送系统(1);所述预热腔(2)、工艺腔(3)、冷却腔(4)通过管道和阀门与真空系统(6,17)相连;所述预热腔(2)、工艺腔(3)内设有加热系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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