[实用新型]MEMS加速度传感器的隔离硅墙有效
| 申请号： | 201420384106.1 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN204008695U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 戴忠伟 | 申请（专利权）人： | 广芯电子技术(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 胡美强;王聪 |
| 地址： | 200030 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MEMS加速度传感器的隔离硅墙，其中MEMS单轴加速度传感器的隔离硅墙位于该MEMS单轴加速度传感器的硅盖帽与硅基板键合形成的腔体的内部且形成于硅基板上，该隔离硅墙的形状为一矩形框，该隔离硅墙的墙体垂直于该硅基板，该隔离硅墙的内侧套设有该MEMS单轴加速度传感器的检测质量块，该检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离为2微米至3微米，该墙体在平行于该硅基板所在平面的方向上的宽度为9微米至13微米，该墙体高于该硅基板2微米至3微米。本实用新型弥补了在加工加速度传感器的过程中可动敏感结构容易被其它工序使用的腐蚀液腐蚀和受外力挤压而变形的不足，起到了保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | mems 加速度 传感器 隔离 | ||
【主权项】：
一种MEMS单轴加速度传感器的隔离硅墙，其特征在于，该隔离硅墙位于该MEMS单轴加速度传感器的硅盖帽与硅基板键合形成的腔体的内部且形成于该MEMS单轴加速度传感器的硅基板上，该隔离硅墙的形状为一矩形框，该隔离硅墙的墙体垂直于该硅基板，该隔离硅墙的内侧套设有该MEMS单轴加速度传感器的检测质量块，该检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离为2微米至3微米，该墙体在平行于该硅基板所在平面的方向上的宽度为9微米至13微米，该墙体高于该硅基板2微米至3微米。
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