[实用新型]一种抗地弹效应的输出电路有效
| 申请号： | 201420387875.7 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN203942511U | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 黄嵩人;陈思园;何龙;陈迪平 | 申请（专利权）人： | 湖南进芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市岳麓区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种抗地弹效应的输出电路，它包括用于控制PMOS晶体管Ⅰ(101)、PMOS晶体管Ⅱ(103)导通过程中减小电源线上的地弹效应的PMOS控制逻辑电路，用于控制NMOS晶体管Ⅰ(102)、NMOS晶体管Ⅱ(104)导通过程中减小地线上的地弹效应的NMOS控制逻辑电路；电阻Ⅰ（R1）连接于输出节点（VOUT）和PMOS晶体管Ⅱ(103)的漏极，电阻Ⅱ（R2）连接于输出节点（VOUT）和NMOS晶体管(104)的漏极。本实用新型的目的是提供一种具有抗地弹效应的输出电路，该电路除了具有较强的抗地弹能力之外，还可以相对减少电路的延迟和功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 效应 输出 电路 | ||
【主权项】：
一种抗地弹效应的输出电路，其特征在于它包括用于控制PMOS晶体管Ⅰ (101)、PMOS晶体管Ⅱ(103)导通过程中减小电源线上的地弹效应的PMOS控制逻辑电路，用于控制NMOS晶体管Ⅰ(102 )、NMOS晶体管Ⅱ(104)导通过程中减小地线上的地弹效应的NMOS控制逻辑电路；电阻Ⅰ（R1）连接于输出节点（VOUT）和PMOS晶体管Ⅱ(103 )的漏极，电阻Ⅱ（R2）连接于输出节点（VOUT）和NMOS晶体管(104 )的漏极。
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