[实用新型]被动调Q单纵模激光器有效
| 申请号： | 201420393693.0 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN204012176U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 励盼攀 | 申请（专利权）人： | 励盼攀 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/11 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 315725 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种被动调Q单纵模激光器，包括激光二极管(1)、第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)、激光晶体(4)、被动调Q晶体(5)和耦合器(6)，所述第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)依次设置在所述激光二极管(1)和激光晶体(4)之间，所述激光晶体(4)与被动调Q晶体(5)并列设置，所述被动调Q晶体(5)设置在激光晶体(4)和耦合器(6)之间。本实用新型提供的被动调Q单纵模激光器利用缩短腔长增加纵模间隔从而获得单纵模输出，得到单纵模连续的种子源结合主振荡放大器法获得大能量的输出，经过Q调制获得脉冲单纵模激光。 | ||
| 搜索关键词： | 被动 单纵模 激光器 | ||
【主权项】：
一种被动调Q单纵模激光器，其特征在于：所述激光器包括激光二极管(1)、第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)、激光晶体(4)、被动调Q晶体(5)和耦合器(6)，所述第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)依次设置在所述激光二极管(1)和激光晶体(4)之间，所述激光晶体(4)与被动调Q晶体(5)并列设置，所述被动调Q晶体(5)设置在激光晶体(4)和耦合器(6)之间。
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