[实用新型]铸造用高效多晶硅锭的坩埚有效
| 申请号： | 201420404745.X | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN204022994U | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 谢建伟 | 申请（专利权）人： | 常州旷达阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213179 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种铸造用高效多晶硅锭的坩埚，包括坩埚本体，在坩埚本体的内壁四周分别设置氮化硅阻隔层和石英或碳化硅形核层，氮化硅阻隔层位于石英或碳化硅形核层的内侧，氮化硅阻隔层的厚度在100μm～300μm之间，碳化硅形核层的厚度在20μm～200um之间。本实用新型的有益效果是：从最终使用效果来看，通过使用该坩埚，可不依赖铸锭工艺得到高效硅锭，转换效率可达到半融法硅锭，硅料利用率可达到全融法硅锭，提高了转换效率同时提高了硅料利用率。同时，坩埚侧边涂层诱导形成的微小晶体区可吸收大量的从石英坩埚中扩散出来的金属杂质，减轻边缘硅块EL黑边现象。 | ||
| 搜索关键词： | 铸造 高效 多晶 坩埚 | ||
【主权项】：
一种铸造用高效多晶硅锭的坩埚，包括坩埚本体(1)，其特征是：在坩埚本体(1)的内壁四周分别设置氮化硅阻隔层(2)和石英或碳化硅形核层(3)，氮化硅阻隔层(2)位于石英或碳化硅形核层(3)的内侧，氮化硅阻隔层(2)的厚度在100μm～300μm之间，石英或碳化硅形核层(3)的厚度在20μm～200um之间。
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