[实用新型]一种具有导电衬底的LED芯片的电极结构有效
| 申请号： | 201420412033.2 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN204155953U | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李媛 | 申请（专利权）人： | 李媛 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529100 广东省江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种具有导电衬底的LED芯片的电极结构，包括导电衬底，层叠与导电衬底上的N型半导体层，层叠于N型半导体层上的发光层和层叠于发光层上的P型半导体层，芯片的导电衬底侧和P型半导体层侧的面为芯片的出光面，位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面；在所述侧面上设置有与P型半导体层电接触的P型电极，所述P型电极与发光层侧面和N型半导体层侧面之间设置有绝缘层。由于本实用新型将电极设置在芯片的侧面，增加了芯片发光面积，提高了芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 导电 衬底 led 芯片 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种具有导电衬底的LED芯片的电极结构，包括导电衬底，层叠与导电衬底上的N型半导体层，层叠于N型半导体层上的发光层和层叠于发光层上的P型半导体层，芯片的导电衬底侧和P型半导体层侧的面为芯片的出光面，位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面；其特征在于：在所述侧面上设置有与P型半导体层电接触的P型电极，所述P型电极与芯片侧面之间设置有绝缘层。
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