[实用新型]芯片级封装共模滤波器及保护器件与半导体构件有效
| 申请号： | 201420415780.1 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN203967079U | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | U·夏尔马;刘荣;P·贺兰德 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及芯片级封装共模滤波器及保护器件与半导体构件。由本实用新型解决的一个技术问题是提供包含与保护器件单片集成的共模滤波器的半导体构件。具有至少5Ω·cm的电阻率的半导体材料被提供。保护器件由该半导体材料的一部分形成，并且介电材料被形成于半导体材料之上。线圈被形成于介电材料之上。本实用新型的一个有利效果是：ESD保护器件能够由低电阻率的基板制成，并且共模滤波器能够与ESD保护器件进行单片集成。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 封装 滤波器 保护 器件 半导体 构件 | ||
【主权项】：
一种配置为芯片级封装的单片集成的共模滤波器及保护器件，其特征在于包括： 具有至少5Ω·cm的电阻率的半导体材料； 由所述半导体材料形成的保护器件； 在所述半导体材料之上的第一材料层，所述第一材料层具有以第一导电材料填充的开口；以及 在所述第一材料层之上的第一线圈。
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