[实用新型]并联均流晶体管输出级有效
| 申请号： | 201420421351.5 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN204031121U | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王建全;张干;李保霞;彭彪;王作义;崔永明 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内（*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 并联均流晶体管输出级，包括信号输入端、至少一个基极连接在一起的输出晶体管对，所述输出晶体管对包括两个NPN管作为输出晶体管，其特征在于，每一输出晶体管对由第一输出晶体管和第二输出晶体管组成，第一输出晶体管和第二输出晶体管的发射极分别连接第一耗尽型NMOS管和第二耗尽型NMOS管漏级；还包括全差分运算放大器。本实用新型使得输出晶体管之间的均流状况得到极大改善，同时结构简单、电路元件数量少，连线方便，在PCB板上易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 并联 晶体管 输出 | ||
【主权项】：
并联均流晶体管输出级，包括信号输入端、至少一个基极连接在一起的输出晶体管对，所述输出晶体管对包括两个NPN管作为输出晶体管，其特征在于，每一输出晶体管对由第一输出晶体管和第二输出晶体管组成，第一输出晶体管和第二输出晶体管的发射极分别连接第一耗尽型NMOS管和第二耗尽型NMOS管漏级；还包括全差分运算放大器，第一输出晶体管发射极和第一耗尽型NMOS管的栅极分别连接全差分运算放大器的正相输入端和正相输出端；第二输出晶体管发射极和第二耗尽型NMOS管的栅极分别连接全差分运算放大器的反相输入端和反相输出端；两个输出晶体管和两个耗尽型NMOS管的宽长比分别相等。
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