[实用新型]一种发光二极管芯片

摘要

本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于半导体器件领域。所述芯片包括衬底，依次层叠在衬底上的第一半导体层、发光层、第二半导体层和透明导电层，芯片上设有凹槽，凹槽内设有将芯片分割成多个子芯片的隔离槽，芯片上还设有第一电极、第二电极和电气连接结构，芯片还包括透明绝缘层，透明绝缘层的厚度为100～1000nm，透明绝缘层至少覆盖凹槽的侧壁和隔离槽，而露出第一电极、第二电极和电气连接结构的设置处；电气连接结构铺设于位于隔离槽内的透明绝缘层之上，且电气连接结构将相邻两个子芯片连接。本实用新型通过将透明绝缘层至少覆盖到凹槽的侧壁和隔离槽，在一定程度上隔绝静电和污染，提高了芯片的电学性能和可靠性，利于芯片正面出光，提高亮度。

主权项

一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底，依次层叠在所述衬底上的第一半导体层、发光层、第二半导体层和透明导电层，所述芯片上设有凹槽，所述凹槽从所述透明导电层延伸至所述第一半导体层，所述凹槽内设有将所述芯片分割成多个子芯片的隔离槽，所述隔离槽从所述第一半导体层延伸至所述衬底，所述芯片上还设有一个第一电极、一个第二电极和多个电气连接结构，所述第一电极设于所述透明导电层上，所述第二电极设于所述凹槽的第一半导体层上，其特征在于，所述芯片还包括透明绝缘层，所述透明绝缘层的厚度为100～1000nm，所述透明绝缘层至少覆盖所述凹槽的侧壁和所述隔离槽，而露出所述第一电极、所述第二电极和所述电气连接结构的设置处；所述电气连接结构铺设于位于所述隔离槽内的所述透明绝缘层之上，且所述电气连接结构将一个所述子芯片的透明导电层与另一个所述子芯片的第一半导体层连接。