[实用新型]一种出光效率高的倒装LED芯片、及其LED器件有效
申请号: | 201420431112.8 | 申请日: | 2014-08-01 |
公开(公告)号: | CN204102928U | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 许朝军;姜志荣;曾照明;黄靓;肖国伟 | 申请(专利权)人: | 晶科电子(广州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 肖云 |
地址: | 511458 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种倒装LED芯片、及包含该芯片的LED器件,所述芯片其P型外延层上开设有第一凹孔;在P型外延层上表面叠加有一P接触金属层;第一叠加结构其上表面叠加有P阻挡保护层,且P阻挡保护层的下表面覆盖面积与P型外延层的上表面面积一致;第二叠加结构其外露的表面设有绝缘层,其和第一凹孔的底部位置相对应的绝缘层部分设有第一通孔,在和P阻挡保护层上表面对应的绝缘层部分设有第二通孔;N表面电极通过所述第一通孔与N型外延层电连接,所述P表面电极通过所述第二通孔与P阻挡保护层电连接。本实用新型提供的倒装LED芯片导热导电能力好、且有利于提高出光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 效率 倒装 led 芯片 及其 器件 | ||
【主权项】:
一种倒装LED芯片,包括外延衬底、P表面电极、N表面电极、叠加于外延衬底上表面的N型外延层、叠加于N型外延层上表面的发光层、叠加于发光层上表面的P型外延层,其特征在于,所述P型外延层其上开设有第一凹孔,且第一凹孔向下贯穿过所述发光层并延伸至所述N型外延层;在P型外延层上表面叠加有一P接触金属层,且P接触金属层的边缘与P型外延层的边缘重合,相互叠加的P型外延层和P接触金属层构成第一叠加结构;所述第一叠加结构其上表面叠加有P阻挡保护层,且P阻挡保护层的下表面覆盖面积与P型外延层的上表面面积一致;N型外延层、发光层、P型外延层、P接触金属层、及P阻挡保护层依次叠加构成第二叠加结构,所述第二叠加结构其外露的表面设有绝缘层,且和所述第一凹孔的底部位置相对应的绝缘层部分设有第一通孔,在和P阻挡保护层上表面对应的绝缘层部分设有第二通孔;所述N表面电极通过所述第一通孔与N型外延层电连接,所述P表面电极通过所述第二通孔与P阻挡保护层电连接。
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