[实用新型]一种掺杂的肖特基势垒器件有效
| 申请号： | 201420442005.5 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN204375759U | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 洪旭峰 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 201605 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种掺杂的肖特基势垒器件；该肖特基势垒器件的势垒层是采用了掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层，而传统的肖特基势垒器件的势垒层是无掺杂的金属硅化物(M-Si)作为肖特基势垒层，掺杂磷的金属硅化物势垒层（P-MSi）较传统的无掺杂的金属硅化物(M-Si)势垒层，具有低的势垒高度，因此采用掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层的肖特基器件较传统的肖特基势垒器件，同等面积下，具有低的正向饱和压降(VF)的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 肖特基势垒 器件 | ||
【主权项】：
一种掺杂的肖特基势垒器件，其特征在于：包括外延层（N‑）、衬底层（N+），在外延层（N‑）上形成肖特基势垒层（P‑MSi），肖特基势垒层采用掺杂磷的金属硅化物作为势垒层，肖特基势垒层上蒸镀金属形成阳极（top metal），衬底层（N+）背面减薄后蒸镀金属形成阴极(back metal)，势垒区边缘采用掺硼形成保护环（P+）。
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