[实用新型]新型四象限光功率探测芯片

摘要

本实用新型公开一种新型四象限光功率探测芯片，包括：衬底、形成于衬底底部的N电极、形成于衬底上的缓冲层、形成于缓冲层上的吸收层、形成于吸收层上的顶层、形成于顶层中的有源区、形成于顶层边沿上的钝化膜、形成于有源区和钝化膜上的增透膜、及形成于有源区与增透膜上的P电极，该有源区形成四个对称分布在直角坐标系四个象限中的四个光敏区，每两相邻的光敏区之间形成一沟道，以将两相邻的光敏区间隔开，该N电极呈分层结构，该N电极由AuSn交替蒸镀而形成。该N电极采用金锡交替蒸镀而形成，大大降低了封装温度，还可以准确控制金锡的比例，从而可以精确地控制封装温度，有效保护其他器件的性能，如激光器等。

主权项

一种新型四象限光功率探测芯片，其特征在于，包括：衬底、形成于所述衬底底部的N电极、形成于所述衬底上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的吸收层、形成于所述吸收层上的顶层、形成于所述顶层中的有源区、形成于所述顶层边沿上的钝化膜、形成于所述有源区和钝化膜上的增透膜、以及形成于所述有源区与增透膜上的P电极，所述有源区形成四个对称分布在直角坐标系四个象限中的四个光敏区，每两相邻的光敏区之间形成一沟道，以将两相邻的光敏区间隔开，所述N电极呈分层结构，所述N电极由AuSn交替蒸镀而形成。