[实用新型]横向对称DMOS管有效
| 申请号： | 201420455558.4 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN204029815U | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王建全;彭彪;张干;王作义;崔永明;李保霞 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 罗言刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内（*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 横向对称DMOS管，包括具备第一掺杂类型的外延层及位于外延层上具备第二掺杂类型的两个有源区，有源区上方设置有与有源区欧姆接触的有源区金属电极；两个有源区之间为具有第二掺杂类型的漂移区，漂移区中部为具有第一掺杂类型的沟道区，所述漂移区和沟道区上方均为绝缘层覆盖，绝缘层上分布有栅极和副栅，分别位于沟道区和漂移区上方，所述副栅上具有引线连接孔。本实用新型所述的横向对称DMOS管，可以通过在副栅极施加正电压吸引电荷在副栅下方反型，降低DMOS管的导通电阻，在作为静电防护器件使用时可以将副栅和栅极连接以增大栅漏电容，提高栅极电荷耦合速度，帮助器件快速开启。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 对称 dmos | ||
【主权项】：
横向对称DMOS管，其特征在于，包括具备第一掺杂类型的外延层（1）及位于外延层上具备第二掺杂类型的两个有源区（2），有源区上方设置有与有源区欧姆接触的有源区金属电极（5）；两个有源区之间为具有第二掺杂类型的漂移区，漂移区中部为具有第一掺杂类型的沟道区（4），所述漂移区和沟道区上方均为绝缘层（8）覆盖，绝缘层（8）上分布有栅极（7）和副栅（6），分别位于沟道区和漂移区上方，所述副栅上具有引线连接孔。
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