[实用新型]一种电迁移测试结构

摘要

本实用新型提供一种电迁移测试结构，位于晶圆切割道上，包括测试结构主体、保护环、第一金属焊垫、第二金属焊垫、第三金属焊垫及第四金属焊垫；所述测试结构主体位于所述保护环内，所述第一、第二、第三及第四金属焊垫位于所述保护环外；所述测试结构主体与各金属焊垫之间分别通过一跨越所述保护环的阱连接结构连接。所述保护环与所述阱连接结构中间的P型重掺杂层连接；所述P型衬底与所述保护环均通过所述第三金属焊垫接地。本实用新型的电迁移测试结构中位于切割道上，且有保护环保护，同时可以避免晶粒切割时切到保护环导致芯片分层的问题。

主权项

一种电迁移测试结构，位于晶圆切割道上，包括测试结构主体、保护环、第一金属焊垫、第二金属焊垫、第三金属焊垫及第四金属焊垫，其特征在于： 所述测试结构主体位于所述保护环内，所述第一、第二、第三及第四金属焊垫位于所述保护环外； 所述测试结构主体与各金属焊垫之间分别通过一阱连接结构连接；所述阱连接结构包括依次连接的第一层间金属互连层、第一N型重掺杂层、N阱、第二N型重掺杂层及第二层间金属互连层，其中，所述N阱形成于P型衬底中，所述第一N型重掺杂层与第二N型重掺杂层均形成于所述N阱上，所述第一N型重掺杂层与第二N型重掺杂层之间形成有P型重掺杂层并通过隔离结构隔离； 所述保护环与所述P型重掺杂层连接； 所述P型衬底与所述保护环均与所述第三金属焊垫连接。