[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201420482097.X | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN204204847U | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 松井孝二郎;阪本雄彦;梅津和之;宇野友彰 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件。提高半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)的主面的LDMOSFET形成区域(LR)形成有相互并联连接而构成功率MISFET的多个单位MISFET元件。在半导体衬底(SB)的主面的驱动电路区域(DR)还形成有控制功率MISFET的栅极电压的控制电路。在半导体衬底(SB)上还形成有具有由同种金属材料构成的多个布线层的布线结构。形成于LDMOSFET形成区域(LR)的多个单位MISFET元件的栅电极(GE)彼此之间经由极布线(M1G、M2G、M3G)而相互电连接，所述极布线分别形成在由同种金属材料构成的多个布线层的全部布线层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体衬底； 多个单位MISFET元件，形成于所述半导体衬底的主面的第一MISFET形成区域，相互并联连接而构成功率MISFET； 控制电路，形成于所述半导体衬底的所述主面的第一控制电路形成区域，控制所述功率MISFET的栅极电压；以及 布线结构，具有形成于所述半导体衬底上的、由同种金属材料构成的多个布线层， 形成于所述第一MISFET形成区域上的所述多个单位MISFET元件的栅极电极彼此之间经由分别形成于所述多个布线层的所有布线层上的栅极布线而相互电连接。
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