[实用新型]临界场强保护系统中的电流检测电路

摘要

本实用新型公开了一种临界场强保护系统中的电流检测电路，包括：一稳压电路，由第一电流源，第一电阻，第二电阻，一运算放大器和第一NMOS晶体管组成，将电源电压稳定在所需要的电压值上，其中第一NMOS晶体管为电流泄放管；一电流检测模块，由第三电流源，第四电流源，第二NMOS晶体管和一反相器组成；流过第二NMOS晶体管的电流与第三电流源和/或第四电流源比较，最后由反相器将比较结果输出；一负载电流及储能电容，所述负载电流为其他电路所消耗的总电流；第一电容作为电源电压上的储能电容。本实用新型能够提高芯片工作的可靠性和安全性，适用于高频射频识别卡片中。

主权项

一种临界场强保护系统中的电流检测电路，其特征在于，包括：一稳压电路，由第一电流源，第一电阻，第二电阻，一运算放大器和第一NMOS晶体管组成；第一电流源的一端作为电源电压端VDD，第一电阻与第二电阻串联连接在电源电压端VDD与地之间，其连接的节点设为A；所述运算放大器的正相输入端与A点相连接，反相输入端输入参考电压VREF，运算放大器的输出端与第一NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点设为B；第一NMOS晶体管为电流泄放管，其漏极与电源电压端VDD相连接，其源极接地；一电流检测模块，由第三电流源，第四电流源，第二NMOS晶体管和一反相器组成；第三电流源和第四电流源的一端与电源电压端VDD相连接，第三电流源的另一端与第一开关的一端相连接，第四电流源的另一端与第二开关的一端相连接；第一开关和第二开关的另一端与第二NMOS晶体管的漏极和所述反相器的输入端相连接；第二NMOS晶体管的栅极与所述B点相连接，其源极接地；所述反相器的输出端为电流检测电路的输出端；流过第二NMOS晶体管的电流与第三电流源和/或第四电流源比较，最后由反相器将比较结果输出；一负载电流及储能电容，所述负载电流为其他电路所消耗的总电流；第一电容连接在电源电压端VDD与地之间，作为电源电压上的储能电容。