[实用新型]一种通信用滤波器有效

专利信息
申请号: 201420512689.1 申请日: 2014-09-09
公开(公告)号: CN204156847U 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 孟刚 申请(专利权)人: 抚州市双菱磁性材料有限公司
主分类号: H03L7/085 分类号: H03L7/085;H03L7/093;H04B1/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 344000 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 实用新型公开了一种通信用滤波器,包括传输门S1、传输门S2、传输门S3、功率放大器A1和主滤波电路;传输门S1的右端分别与传输门S2的左端、传输门S3的右端相连,传输门S1的左端与ICP端口相连;传输门S2的右端同时连接功率检测器A的一端、电容C0的一端和单位增益放大器A2的一端;所述传输门S3的左端与VFD端口相连;功率放大器A1的输入端与电容C0的另一端相连,且功率放大器A1与电容C0之间的接线点还连接二极管D的正极,二极管D的负极接地;本实用新型实现了对线性度的调节,工作稳定、可靠,且切断了环路滤波器的放电路径,以此来达到稳定环路电压的目的,提高了芯片的集成度,降低了成本。
搜索关键词: 一种 通信 滤波器
【主权项】:
一种通信用滤波器,包括传输门S1、传输门S2、传输门S3、功率放大器A1和主滤波电路;其特征在于,传输门S1、传输门S2、传输门S3均为CMOS传输门,传输门S1由一个NMOS晶体管M4和一个PMOS晶体管M3通过源漏互连的方式构成,NMOS晶体管M4的衬底与地GND相连,NMOS晶体管M4的栅与SP相连,PMOS晶体管M3的衬底与电源VDD相连,PMOS晶体管M3的栅与SN相连;传输门S2由一个NMOS晶体管M6和一个PMOS晶体管M5通过源漏互连的方式构成,NMOS晶体管M6的衬底与VL端口相连,NMOS晶体管M6的栅与SP相连,PMOS晶体管M5的衬底与VH端口相连,PMOS晶体管M5的栅与SN相连;传输门S3由一个NMOS晶体管M8和一个PMOS晶体管M7通过源漏互连的方式构成,NMOS晶体管M8的衬底与地GND相连,NMOS晶体管M8的栅与SP相连,PMOS晶体管M7的衬底与电源VDD相连,PMOS晶体管M7的栅与SN相连;传输门S1的右端分别与传输门S2的左端、传输门S3的右端相连,传输门S1的左端与ICP端口相连;传输门S2的右端同时连接功率检测器A的一端、电容C0的一端和单位增益放大器A2的一端;所述传输门S3的左端与VFD端口相连;功率放大器A1的输入端与电容C0的另一端相连,且功率放大器A1与电容C0之间的接线点还连接二极管D的正极,二极管D的负极接地;功率检测器A的另一端依次通过开关管M9、扼流电感L连接功率放大器A1的输入端;功率放大器A1的输出端同时连接电阻R1的一端、电阻R2的一端;电阻R1的另一端连接PMOS晶体管M1,电阻R2的另一端连接PMOS晶体管M2,其中,PMOS晶体管M1的衬底与源及电源VDD相连,PMOS晶体管M1的栅与VBIAS相连,PMOS晶体管M1的漏与VH端口相连,NMOS晶体管M2的衬底接地,NMOS晶体管M2的栅与VBIAS相连,NMOS晶体管M2的漏与VL端口相连;所述单位增益放大器A2的输入端与传输门S2之间的接线点还同时通过电容C1接地、电容C2接地,单位增益放大器A2输出端连接电阻R3的一端,电阻R3的另一端同时连接VOUT端口、通过电容C3接地。
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