[实用新型]基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器有效
申请号: | 201420515068.9 | 申请日: | 2014-09-09 |
公开(公告)号: | CN204067399U | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 罗俊;别业华;李维军;张新宇;佟庆;雷宇;桑红石;张天序;谢长生 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器,包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极;其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列,金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数,每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性,通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段,通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本实用新型具有多谱、高灵敏度和高速特性,通过选择不同金属开环共振单元结构并进行单片集成可以将探测器工作于远红外的多个波段。 | ||
搜索关键词: | 基于 材料 肖特基型远 红外 信号 探测器 | ||
【主权项】:
一种基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器,包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层、超材料层、欧姆电极、和一对肖特基电极,其特征在于,欧姆电极和肖特基电极分别设置于超材料层的左右两端,超材料层与N型砷化镓层形成肖特基接触,超材料层包括多个可以以任意方式排列的金属开环共振单元阵列,且为具有周期性微纳米结构的金属层,金属开环共振单元阵列的金属开环共振单元开孔间距t=80~200nm,线宽d=200~600nm,周期L=500~2000nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420515068.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型LED支架及LED器件
- 下一篇:一种太阳能跟踪发电装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的