[实用新型]一种减小输入电容的VDMOS器件结构有效
| 申请号： | 201420532042.5 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN204130545U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘文辉 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种减小输入电容的VDMOS器件结构，包括N+型衬底，位于N+型衬底上的N型衬底外延层，以及位于N型衬底外延层上的元胞；N型衬底外延层的表面上包括相互平行的若干个条形源电极以及夹在条形源电极之间的栅电极；所述的栅电极栅氧化层上的多晶硅层为彼此分开的两个条形结构，多晶硅层上覆盖有用于隔离栅电极与源电极的钝化层。本实用新型挖掉了部分多晶硅，使多晶硅层成为彼此分开的两个条形结构，由于去掉了漂移区上的多晶硅，使得栅电极的面积减小，因而减少了寄生电容，显著降低了输入电容，改善了产品的开关时间特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 输入 电容 vdmos 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种减小输入电容的VDMOS器件结构，其特征在于：包括N+型衬底(110)，位于N+型衬底(110)上的N型衬底外延层(120)，以及位于N型衬底外延层(120)上的元胞；N型衬底外延层(120)的表面上包括相互平行的若干个条形源电极(150)以及夹在条形源电极(150)之间的栅电极(140)；所述的栅电极(140)栅氧化层上的多晶硅层(130)为彼此分开的两个条形结构。
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