[实用新型]高精度基准电压源

摘要

本实用新型公开了高精度基准电压源，包括由PNP管Q1和Q2、电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6、第一运算放大器OP1组成的带隙基准电压源电路，其特征在于：所述的带隙基准电压源电路与由NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5组成的低温漂控制开关连接；带隙基准电压源电路的输出端与输出调整电路连接；输出调整电路包括第二运算放大器OP2，电阻R10、R11，电阻串序列R12，NMOS开关阵列MN6，NMOS开关阵列MN6为输出电压开关。该高精度基准电压源，在遇到失配、工艺偏差等非理想状况时，输出基准电压精度高，可以广泛应用于模数转换器、数模转换器等需要高精度基准电压的模拟电路。

主权项

高精度基准电压源，包括带隙基准电压源电路（1），所述带隙基准电压源电路（1）包括PNP管Q1和Q2、电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6、第一运算放大器OP1，所述电阻R1、R3、R4、R5和R6串联，PNP管Q1的基极和集电极接地，PNP管Q1的发射极与电阻R6的负端相连；电阻R2的负端与PNP管Q2的发射极相连，作为所述带隙基准电压源电路（1）的第二电压端b，PNP管Q2的基极与集电极接地；电阻R3的正端与电阻R1的负端相连，作为所述带隙基准电压源电路（1）的第一电压端a；其特征在于：所述的电阻R4与NMOS管MN1并联，且NMOS管MN1的源极接电阻R4的负端，NMOS管MN1的漏极接电阻R4的正端；所述的电阻R5与NMOS管MN2并联，且NMOS管MN2的源极接电阻R5的负端，NMOS管MN2的漏极接电阻R5的正端；所述的电阻R6分别通过电阻R7、R8、R9与NMOS管MN3、MN4、MN5并联，且NMOS管MN3、MN4、MN5的源极均接电阻R6的负端，NMOS管MN3、MN4、MN5的漏极分别接电阻R7、R8、R9的负端；NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5为低温漂控制开关；第一运算放大器OP1的输出端c与PMOS管MP1的栅极连接，电阻R1的正端与电阻R2的正端、PMOS管MP1的漏极相连，PMOS管MP1的源极接电源端；所述的电阻R1、R2的正端同时接输出调整电路（2）。