[实用新型]半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器有效
| 申请号： | 201420541471.9 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN204167676U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘承勇;张文昌;陈新民 | 申请（专利权）人： | 福州紫凤光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/081;H01S3/109 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王美花 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器，包括折叠谐振腔、Q开关、半导体侧泵浦模块、和频晶体、波片、倍频晶体，所述折叠谐振腔由前端反射镜、折叠反射镜以及后端反射镜构成，所述Q开关靠近前端反射镜放置，所述半导体侧泵浦模块靠近Q开关放置，倍频晶体靠近后端反射镜放置，波片靠近倍频晶体放置，和频晶体靠近波片放置。本实用新型结构简单、功率高、稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 侧泵浦腔内 倍频 紫外 激光器 | ||
【主权项】：
一种半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器，其特征在于：包括折叠谐振腔、Q开关、半导体侧泵浦模块、和频晶体、波片、倍频晶体，所述折叠谐振腔由前端反射镜、折叠反射镜以及后端反射镜构成，所述Q开关靠近前端反射镜放置，所述半导体侧泵浦模块靠近Q开关放置，倍频晶体靠近后端反射镜放置，波片靠近倍频晶体放置，和频晶体靠近波片放置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州紫凤光电科技有限公司，未经福州紫凤光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420541471.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种安全型线缆稳定式电气设备安装室
- 下一篇：换向器绝缘结构
