[实用新型]离子源准直器及离子源有效
| 申请号： | 201420544521.9 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN204088256U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 赵良超;何小中;马超凡;庞健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
| 主分类号： | H01J27/04 | 分类号： | H01J27/04 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 罗言刚 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 离子源准直器，包括准直器基体，所述准直器基体中开设有准直孔，所述准直孔周围设置有环形溅射台，所述环形溅射台高度低于准直器基体上表面，所述环形溅射台周围还设置有高度高于准直器基体上表面的环形定位台阶，所述环形溅射台与准直孔轴线重合。本实用新型还公开了一种采用上述离子源准直器的离子源。本实用新型所述离子源准直器及离子源，添加了用于沉积溅射物质的沟槽，使准直器的维护周期显著延长，从而使离子源的寿命得到延长；本实用新型结构简单，拆装方便；耐受离子溅射，增加了溅射沟槽，长时间的工作状态下能保持性能，维护周期长。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 准直器 | ||
【主权项】：
离子源准直器，其特征在于，包括准直器基体（1），所述准直器基体中开设有准直孔（2），所述准直孔周围设置有环形溅射台（3），所述环形溅射台（3）高度低于准直器基体上表面（5），所述环形溅射台（3）周围还设置有高度高于准直器基体上表面（5）的环形定位台阶（4），所述环形溅射台（3）与准直孔（2）轴线重合。
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