[实用新型]蚀刻、显影、清洗以及褪膜设备、喷淋处理设备有效
| 申请号： | 201420550326.7 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN204230209U | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 孙尚传 | 申请（专利权）人： | 安徽省大富光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 233000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种蚀刻、显影、清洗以及褪膜设备、喷淋处理设备，该喷淋处理设备包括支撑装置和喷淋装置，支撑装置用于支撑待处理的基材，且支撑装置的支撑平面相对水平面倾斜设置，以使得基材与水平面成预定角度倾斜；喷淋装置用于向倾斜设置的基材喷淋处理液。通过上述方式，本实用新型能够提升处理液处理基材的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 显影 清洗 以及 设备 喷淋 处理 | ||
【主权项】：
一种喷淋处理设备，其特征在于，所述喷淋处理设备包括：支撑装置，用于支撑待处理的基材，且所述支撑装置的支撑平面相对水平面倾斜设置，以使得所述基材与水平面成预定角度倾斜；喷淋装置，用于向倾斜设置的所述基材喷淋处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
