[实用新型]高灵敏度硅压阻压力传感器

摘要

本实用新型涉及一种压力传感器，尤其是一种高灵敏度硅压阻压力传感器，属于半导体压力传感器的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述高灵敏度硅压阻压力传感器，包括硅基底；所述硅基底上贴合有应变膜，且应变膜将硅基底内的上部密封形成真空腔；应变膜的中心区凹设有应力集中区，所述应力集中区位于真空腔的正上方；应变膜上设置用于形成惠斯通电桥桥臂的应变电阻，所述应变电阻位于应力集中区的外圈且位于真空腔的上方；应变膜上的应变电阻通过应变膜上方的金属电极电连接后形成惠斯通电桥；金属电极与应变膜间通过保护层相隔离。本实用新型结构紧凑，在不增大压力传感器面积和工艺难度下提高了灵敏度，安全可靠。

主权项

一种高灵敏度硅压阻压力传感器，包括硅基底（1）；其特征是：所述硅基底（1）上贴合有应变膜（3），且应变膜（3）将硅基底（1）内的上部密封形成真空腔（5）；应变膜（3）的中心区凹设有应力集中区（4），所述应力集中区（4）位于真空腔（5）的正上方；应变膜（3）上设置用于形成惠斯通电桥桥臂的应变电阻（6），所述应变电阻（6）位于应力集中区（4）的外圈且位于真空腔（5）的上方；应变膜（3）上的应变电阻（6）通过应变膜（3）上方的金属电极（10）电连接后形成惠斯通电桥；金属电极（10）与应变膜（3）间通过保护层（9）相隔离。