[实用新型]可升降臭氧氧化设备有效
申请号: | 201420580141.0 | 申请日: | 2014-10-09 |
公开(公告)号: | CN204257612U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 费存勇;王志刚;鲁伟明;李省;初仁龙 | 申请(专利权)人: | 泰州德通电气有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 赵枫 |
地址: | 225300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种可升降臭氧氧化设备,由底柱、下底板、臭氧激发装置组成,下底板与臭氧激发装置之间设置有升降装置,升降装置包括有上底板、导柱、及传动装置,臭氧激发装置与上底板的正面固定连接,上底板的反面设置有多个圆形定位凹槽,传动装置包括导向轴,导向轴的两端各设置有一个同步轮,导柱的竖直方向上固定连接有齿条,每个同步轮与相对应导柱上的齿条啮合,导向轴上还设置有驱动轮,驱动轮连接到动力装置。本实用新型的有益之处是:将传统的臭氧氧化设备上设置了升降装置,解决了特别是在光伏行业刻蚀下料端由于刻蚀设备叠片堵在臭氧氧化设备下方,需要手动将设备抬起将碎片取出的不方便也不安全的做法。 | ||
搜索关键词: | 升降 臭氧 氧化 设备 | ||
【主权项】:
一种可升降臭氧氧化设备,由底柱(1)、下底板(2)、臭氧激发装置(3)组成,其特征是:在所述的下底板(2)与所述的臭氧激发装置(3)之间设置有升降装置(4),所述升降装置(4)包括有上底板(5)、导柱(6)及传动装置(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造