[实用新型]一种对准测量结构有效
| 申请号： | 201420581041.X | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN204102865U | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 闫卫卫;邓贵红;余志贤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种对准测量结构，所述对准测量结构包括曝光单元以及分别分设置于所述曝光单元四个角区域的第一对准标记、第二对准标记、第三对准标记及第四对准标记，其中，所述第三对准标记与第四对准标记之间的距离大于所述第一对准标记及第二对准标记之间的距离。本实用新型通过改变曝光单元角区域的四个对准标记的位置关系，大大提高了OVL对准机台对四个对准标记的识别和分辨能力，从而提高对准测量的准确性，提高产品良率以及节省人力成本。本实用新型结构简单，适用于工业检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 测量 结构 | ||
【主权项】：
一种对准测量结构，其特征在于，所述对准测量结构包括曝光单元以及分别分设置于所述曝光单元四个角区域的第一对准标记、第二对准标记、第三对准标记及第四对准标记，其中，所述第三对准标记与第四对准标记之间的距离大于所述第一对准标记及第二对准标记之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
