[实用新型]离子注入角度测量装置及离子注入系统有效
申请号: | 201420585667.8 | 申请日: | 2014-10-10 |
公开(公告)号: | CN204230207U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 王锦喆 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01J37/317 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种离子注入角度测量装置及离子注入系统,离子注入角度测量装置至少包括:第一阵列结构、第二阵列结构、地线和安培表;所述第一阵列结构中包括多个沿横向分布的法拉第杯,且相邻法拉第杯之间形成有相同角度的夹角;所述第二阵列结构中包括多个沿纵向分布的法拉第杯,且相邻法拉第杯之间形成有相同角度的夹角;所述离子注入角度测量装置不需要其他操作即可以同时对离子束不同方向的注入角度进行测量,操作简单,测量精度高;同时可以根据实际工艺的需要调整法拉第杯的数量及相邻法拉第之间的夹角,提高测量的精确度;所述离子注入系统可以在所述离子注入角度测量装置测量离子注入角度后实时地对离子注入角度进行调整补偿。 | ||
搜索关键词: | 离子 注入 角度 测量 装置 系统 | ||
【主权项】:
一种离子注入角度测量装置,适于测量离子束注入的角度,其特征在于,所述离子注入角度测量装置至少包括:第一阵列结构,所述第一阵列结构中包括多个沿横向分布的法拉第杯,所述法拉第杯包括开口端和底部,所述开口端均朝向所述离子束入射方向;所述法拉第杯自所述第一阵列结构中间至两侧依次倾斜,使得两相邻法拉第杯之间形成相同角度的夹角;第二阵列结构,所述第二阵列结构中包括多个沿纵向分布的法拉第杯,所述法拉第杯包括开口端和底部,所述开口端均朝向所述离子束入射方向;所述法拉第杯自所述第二阵列结构中间至两侧依次倾斜,使得两相邻法拉第杯之间形成相同角度的夹角;地线,与所述第一阵列结构中的法拉第杯的底部和所述第二阵列结构中的法拉第杯的底部电连接;多个安培表,分别位于所述每个法拉第杯与所述地线之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造