[实用新型]光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置有效
申请号: | 201420589663.7 | 申请日: | 2014-10-13 |
公开(公告)号: | CN204097560U | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 蒋绍洪 | 申请(专利权)人: | 蒋绍洪 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/513;C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 张海英;韩国胜 |
地址: | 411199 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置,其包括可抽真空的外筒和设置在外筒内的辊筒,外筒和辊筒同轴设置,辊筒可绕轴线均匀自转,外筒的内部空间形成镀膜腔室,镀膜腔室内通入有工艺气体,镀膜腔室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室;在外筒的内壁上且绕外筒的中心环形均布有至少两个磁控靶,在辊筒的外壁上且绕辊筒的中心环形均布有若干待镀膜基材,至少两个磁控靶在外筒内形成一个围绕或局部围绕辊筒的闭合的磁场。本实用新型的光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置结构简单且灵活,成本低,可适用于大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 光学 钻石 薄膜 间歇 圆筒 镀膜 装置 | ||
【主权项】:
一种光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置,其特征在于,包括可抽真空的外筒和设置在所述外筒内的辊筒,所述外筒和所述辊筒同轴设置,所述辊筒可绕轴线均匀自转,所述外筒的内部空间形成镀膜腔室,所述镀膜腔室内通入有工艺气体,所述镀膜腔室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室;在所述外筒的内壁上且绕所述外筒的中心环形均布有至少两个磁控靶,在所述辊筒的外壁上且绕所述辊筒的中心环形均布有若干待镀膜基材,至少两个所述磁控靶在所述外筒内形成一个围绕或局部围绕所述辊筒的闭合的磁场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蒋绍洪,未经蒋绍洪许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420589663.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种伸缩式点阵广告机
- 下一篇:曲形架体及应用曲形架体的显示模块
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的