[实用新型]光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置有效

专利信息
申请号: 201420589663.7 申请日: 2014-10-13
公开(公告)号: CN204097560U 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 蒋绍洪 申请(专利权)人: 蒋绍洪
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/513;C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 张海英;韩国胜
地址: 411199 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开一种光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置,其包括可抽真空的外筒和设置在外筒内的辊筒,外筒和辊筒同轴设置,辊筒可绕轴线均匀自转,外筒的内部空间形成镀膜腔室,镀膜腔室内通入有工艺气体,镀膜腔室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室;在外筒的内壁上且绕外筒的中心环形均布有至少两个磁控靶,在辊筒的外壁上且绕辊筒的中心环形均布有若干待镀膜基材,至少两个磁控靶在外筒内形成一个围绕或局部围绕辊筒的闭合的磁场。本实用新型的光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置结构简单且灵活,成本低,可适用于大规模生产。
搜索关键词: 光学 钻石 薄膜 间歇 圆筒 镀膜 装置
【主权项】:
一种光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置,其特征在于,包括可抽真空的外筒和设置在所述外筒内的辊筒,所述外筒和所述辊筒同轴设置,所述辊筒可绕轴线均匀自转,所述外筒的内部空间形成镀膜腔室,所述镀膜腔室内通入有工艺气体,所述镀膜腔室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室;在所述外筒的内壁上且绕所述外筒的中心环形均布有至少两个磁控靶,在所述辊筒的外壁上且绕所述辊筒的中心环形均布有若干待镀膜基材,至少两个所述磁控靶在所述外筒内形成一个围绕或局部围绕所述辊筒的闭合的磁场。
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