[实用新型]一种焊垫结构有效
| 申请号： | 201420600038.8 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN204230230U | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王昆;仝海跃;张京晶 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种焊垫结构，所述焊垫结构至少包括焊垫主体和形成在所述焊垫主体至少一侧的金属缓冲线结构；所述金属缓冲线结构形成于与所述焊垫主体处于同一层面的钝化层中。本实用新型的焊垫结构通过在焊垫主体周围设置金属缓冲线结构，可以吸收键合过程中的键合能，减小该能量对下层介质薄膜造成的损伤，并且该金属缓冲线结构可以释放钝化层施加在焊垫主体上的应力，从而可以在不改变原有的工艺，也不用改变介质薄膜以及金属薄膜本身特性的情况下，提高键合的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 | ||
【主权项】：
一种焊垫结构，形成于芯片的顶层金属层上，其特征在于，所述焊垫结构至少包括：焊垫主体和形成在所述焊垫主体至少一侧的金属缓冲线结构。
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