[实用新型]一种高压快恢复二极管芯片

摘要

本实用新型公开了一种高压快恢复二极管芯片，属于半导体芯片领域。一种高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从下向上依次为芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极。特殊钝化层包含电场限制环。芯片生产工艺采用电场限制环的方法，成功调制快恢复二极管表面电场，在同样条件下，增加了快恢复二极管的耐压；采用特殊表面钝化层，中和氧化层中表面电荷，提高了快恢复二极管耐压的稳定性，降低了反向漏电流。它具有开关损耗低，击穿电压高，漏电流小，反向功耗少的优点，增强了二极管的耐压稳定性及可靠性，延长了二极管的寿命。

主权项

一种高压快恢复二极管芯片，包括芯片(1)，其特征在于：还包括N+截止环(2)、表面特殊钝化层(3)和P+阳极(4)，所述的芯片(1)为快恢复二极管芯片；芯片截层从下向上依次为芯片(1)、N+截止环(2)、表面特殊钝化层(3)和P+阳极(4)。