[实用新型]双寄生LTE天线

摘要

本实用新型提供了一种双寄生LTE天线，一种双寄生LTE天线，它包括第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第四辐射单元、第五辐射单元、第一寄生单元及第二寄生单元；所述第二辐射单元呈两级台阶形，其较矮的一级台阶的端部连接第一辐射单元，另一级台阶端部连接第三辐射单元。本实用新型的有益效果在于：将天线设计为上述结构，可将天线支持3G通讯频段基础上拓宽至4G频段，从而实现低频824～960MHz，高频1710～2620MHz的通讯需求。

主权项

一种双寄生LTE天线，其特征在于：它包括第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第四辐射单元、第五辐射单元、第一寄生单元及第二寄生单元；所述第二辐射单元呈两级台阶形，其较矮的一级台阶的端部连接第一辐射单元，另一级台阶端部连接第三辐射单元；所述第一辐射单元的一端与第二辐射单元相连，另一端间隔于较矮的一级台阶沿第二辐射单元另一级台阶方向延伸形成有第一水平段、第一水平段端部向上延伸形成有第一竖直段，第一竖直段端部沿第二辐射单元另一级台阶方向延伸形成有第二水平段；所述第三辐射单元包括第三竖直部，第三竖直部左部与第二辐射单元相连、右部连接第四辐射单元、上部沿第一辐射单元方向延伸形成第三水平段、下部连接第五辐射单元；所述第五辐射单元呈条状，其端部设有信号馈电；于第五辐射单元两侧间隔设有第一寄生单元及第二寄生单元；于第一寄生单元端部设有第一接地馈电；于第二寄生单元端部设有第二接地馈电。