[实用新型]一种移动通信中频拉远系统射频发射机芯片结构有效
申请号: | 201420640698.9 | 申请日: | 2014-10-30 |
公开(公告)号: | CN204145467U | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 万佳;赵新强;李栋;谢李萍;张锐 | 申请(专利权)人: | 北京爱洁隆技术有限公司;万佳 |
主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04 |
代理公司: | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 | 代理人: | 徐金伟 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种移动通信中频拉远系统射频发射机芯片结构,包括可变增益衰减器、低噪声放大器、混频器、功率放大器、第一外置负载和第二外置负载,可变增益衰减器与低噪声放大器连接,第一外置负载与低噪声放大器的输出端口连接;第一外置负载与混频器的输入端口连接,混频器的输出端口与第二外置负载连接;第二外置负载与功率放大器的输入端口连接;还包括与混频器连接的频率综合器。本实用新型的优越效果是:该芯片结构是针对GSM900、GSM1800、GSM1900、IS-95、TD-SCDMA、SCDMA、CDMA2000和WCDMA应用开发的中频输出室内覆盖发射芯片结构;能将50MHz~200MHz的中频信号射频输出为800MHz~2500MHz;组网时减少了电缆数量,有效距离由60米提高到300米,极大地减低了硬件成本和组网建设成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 移动 通信 中频 系统 射频 发射机 芯片 结构 | ||
【主权项】:
一种移动通信中频拉远系统射频发射机芯片结构,其特征在于,包括可变增益衰减器、低噪声放大器、混频器、功率放大器、第一外置负载和第二外置负载,所述可变增益衰减器与低噪声放大器连接,所述第一外置负载与低噪声放大器的输出端口连接;所述第一外置负载与混频器的输入端口连接,混频器的输出端口与第二外置负载连接;所述第二外置负载与功率放大器的输入端口连接;还包括与混频器连接的频率综合器。
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