[实用新型]一种太阳能电池有效
| 申请号： | 201420643718.8 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN204424266U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 童锐;张小刚;储凤舞;杨大谊 | 申请（专利权）人： | 太极能源科技（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 215333 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种太阳能电池，包括：第一类型半导体衬底、第二类型掺杂层、减反射膜、上电极及下电极，其中：所述减反射膜由采用管式镀膜机形成的第一氮化硅层及采用平板镀膜机形成的第二氮化硅层叠加而成。所述第一氮化硅层通过管式镀膜机形成，膜层较为致密，钝化效果好；所述第二氮化硅层通过平板镀膜机形成，颜色较均匀，从而综合了低频炉管和高频平板的优点，减反射膜整体既具有较好的钝化效果，颜色也非常均匀。同时，该太阳能电池还可具有抗PID特性。本实用新型通过改进减反射膜的组成结构，提高了减反射膜的质量，从而提高了太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，包括：第一类型半导体衬底；第二类型掺杂层，形成于所述第一类型半导体衬底表面；减反射膜，形成于所述第二类型掺杂层表面；上电极，形成于所述减反射膜表面；下电极，形成于所述第一类型半导体衬底背面；其特征在于：所述减反射膜由采用管式镀膜机形成的第一氮化硅层及采用平板镀膜机形成的第二氮化硅层叠加而成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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