[实用新型]一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201420650780.X | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN204144271U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李愿杰;廖亚琴;黄添懋;江瑜 | 申请（专利权）人： | 中国东方电气集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 张新 |
| 地址： | 610036 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，包括Si衬底，Si衬底的正面依次向外设置有N+层发射极、SiNX减反层，基于N+层发射极上还设置有穿透SiNX减反层的正面银电极，其特征在于：在Si衬底的背面设置有背面钝化结构，该背面钝化结构为叠层钝化介质层，叠层钝化介质层由内向外依次为Al2O3薄膜和SiOxNy薄膜；该钝化结构可以使太阳能电池减少背部表面复合，达到提高光电转换效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 背面 钝化 结构 单晶硅 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，包括Si衬底，Si衬底的正面依次向外设置有N+层发射极（3）、SiNX减反层（2），基于N+层发射极（3）上还设置有穿透SiNX减反层（2）的正面银电极（1），其特征在于：在Si衬底的背面设置有背面钝化结构（5），该背面钝化结构（5）为叠层钝化介质层，叠层钝化介质层由内向外依次为Al2O3薄膜和SiOxNy薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
