[实用新型]自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路有效

专利信息
申请号: 201420658234.0 申请日: 2014-11-06
公开(公告)号: CN204168242U 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 默立冬;方家兴;蔡道民;王绍东;汪江涛 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F1/02;H03F3/20
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 米文智
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路,涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路,第一路与晶体管QA1的基极连接,第二路与晶体管QA2的集电极连接,第三路经电容Cin接地,第四路与晶体管QB1的基极连接;晶体管QA1-QA2的集电极接VCC,晶体管QA1的发射极经电阻RA1接晶体管QA2的基极,晶体管QA2的发射极接地,晶体管QB1的发射极电流经电阻Rp后分别输出给一个以上的射频功率放大管支路。电路采用自适应偏置线性结构,能够有效实现高线性和高功率附加效率,同时具有温补作用,简化了电路,降低制作难度,提高成品率。
搜索关键词: 自适应 双极型 晶体管 功率放大器 线性 偏置 电路
【主权项】:
一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路,其特征在于:所述偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路,第一路与晶体管QA1的基极连接,第二路与晶体管QA2的集电极连接,第三路经电容Cin接地,第四路与晶体管QB1的基极连接;晶体管QA1‑QA2的集电极接VCC,晶体管QA1的发射极经电阻RA1接晶体管QA2的基极,晶体管QA2的发射极接地,晶体管QB1的发射极电流经电阻Rp后分别输出给一个以上的射频功率放大管支路,电容Cp和电阻Rp1串联后与电阻Rp并联,每个射频功率放大管支路包括一个电阻Rbiasn和一个射频功率放大管QRFn,电阻Rbiasn的一端接电阻Rp与电阻Rp1的结点,电阻Rbiasn的另一端接射频功率放大管QRFn的基极,射频功率放大管QRFn的发射极接地,其中n为自然数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所,未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420658234.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top