[实用新型]单晶生长装料用双层坩埚有效

专利信息
申请号: 201420661302.9 申请日: 2014-11-07
公开(公告)号: CN204198896U 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 李武芳;董汝昆;包文臻;祝永成;高云浩;金之生;王朝思 申请(专利权)人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00
代理公司: 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 代理人: 董昆生
地址: 650503 云南省昆明市*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种单晶生长装料用双层坩埚,涉及一种装料装置,尤其是一种通过提高坩埚高度,提高生产效率的单晶生长装料用双层坩埚。本实用新型的单晶生长装料用双层坩埚,其特征在于该双层坩埚包括石英管、上层坩埚、下层坩埚、中环以及石英封帽,上层坩埚与下层坩埚放置在石英管内,且上层坩埚设置在下层坩埚上方,中环放置在上层坩埚与下层坩埚之间,石英封帽设置在石英管顶部。本实用新型的单晶生长装料用双层坩埚,设计科学,结构简单,使用方便,将现有工艺中使用的单层坩埚变为双层坩埚,将原有每次7-8Kg的加工量提高到10Kg以上,提高了单位时间内的加工效率,有利于企业提高产能,降低单位成本,提高利润。
搜索关键词: 生长 装料 双层 坩埚
【主权项】:
一种单晶生长装料用双层坩埚,其特征在于该双层坩埚包括石英管(1)、上层坩埚(2)、下层坩埚(3)、中环(4)以及石英封帽(5),上层坩埚(2)与下层坩埚(3)放置在石英管(1)内,且上层坩埚(2)设置在下层坩埚(3)上方,中环(4)放置在上层坩埚(2)与下层坩埚(3)之间,石英封帽(5)设置在石英管(1)顶部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南中科鑫圆晶体材料有限公司,未经云南中科鑫圆晶体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420661302.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top