[实用新型]高导热氮化铝全瓷LED封装外壳有效

专利信息
申请号: 201420671778.0 申请日: 2014-11-12
公开(公告)号: CN204167364U 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 赵东亮;刘志平;张文娟;张磊;郝宏坤 申请(专利权)人: 河北中瓷电子科技有限公司
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L33/48
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 米文智
地址: 050051 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型公开了一种高导热氮化铝全瓷LED封装外壳,涉及一种LED封装结构,尤其是一种大功率LED芯片的氮化铝封装外壳。它包括氮化铝基板,所述的氮化铝基板分为上下两层;上层为镜头支架层,镜头支架层的中部开有圆孔;下层为线路层,线路层的顶面固定有芯片焊盘和电路;线路层的底面固定有热沉焊盘;线路层的顶面与底面之间开有多个金属化通孔;热沉焊盘与芯片焊盘通过金属化通孔连接。本实用新型的有益效果是其散热效果好、结构简单、机械强度大,适用于高功率LED封装。
搜索关键词: 导热 氮化 铝全瓷 led 封装 外壳
【主权项】:
一种高导热氮化铝全瓷LED封装外壳,其特征在于:包括氮化铝基板(1),所述的氮化铝基板(1)分为上下两层;上层为镜头支架层(2),镜头支架层(2)的中部开有圆孔(3);下层为线路层(4),线路层(4)的顶面固定有芯片焊盘(5)和电路(6);线路层(4)的底面固定有热沉焊盘(7);线路层(4)的顶面与底面之间开有多个金属化通孔(8);热沉焊盘(7)与芯片焊盘(5)通过金属化通孔(8)连接。
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