[实用新型]一种基于LTCC高密度热流的散热腔体有效
| 申请号： | 201420686693.X | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN204204832U | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王博;兰伟 | 申请（专利权）人： | 成都泰格微电子研究所有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15;H01L23/373;H01L23/367 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，它包括可伐腔体（1）、镶块（2）、芯片（3）和陶瓷基片（4），镶块（2）通过锡焊镶嵌于可伐腔体（1）的底部，芯片（3）设置于镶块（2）上方，陶瓷基片（4）烧结于镶块（2）一侧的可伐腔体（1）底部，芯片（3）与陶瓷基片（4）通过金丝（5）键合；所述的镶块（2）为高导热材料制成。本实用新型的优点在于：使可伐腔体与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体与陶瓷基片相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片在钨铜块上的散热良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ltcc 高密度 热流 散热 | ||
【主权项】：
一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，其特征在于：它包括可伐腔体（1）、镶块（2）、芯片（3）和陶瓷基片（4），镶块（2）通过锡焊镶嵌于可伐腔体（1）的底部，芯片（3）设置于镶块（2）上方，陶瓷基片（4）烧结于镶块（2）一侧的可伐腔体（1）底部，芯片（3）与陶瓷基片（4）通过金丝（5）键合。
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