[实用新型]用于集成电路的静电放电触发电路

摘要

本实用新型公开了用于集成电路的静电放电触发电路，通过在电路中设置由NOMS晶体管和PMOS晶体管组成的反相器、BigFET晶体管、低阈值电压NMOS晶体管使电路实现释放静电放电电流（ESD）的功能，且在电路中采用NMOS晶体管代替传统的电容器，在能够有效的释放静电放电（ESD）电流的同时，避免使用比较大的电阻和电容而带来的浪费芯片面积的问题。同时采用低阈值MOS管，使BigFET栅上的电荷快速泄放干净，没有漏电产生。

主权项

用于集成电路的静电放电触发电路，包括有电阻、PMOS晶体管、NMOS晶体管和由PMOS晶体管及NMOS晶体管组成的反相器，其特征在于：电阻（1）一端连接在电源上，另一端与NMOS晶体管I（2）的栅极相连，NMOS晶体管I（2）的源极与漏极相连接地；PMOS晶体管I（8）与NMOS晶体管II（3）组成反相器I（11），PMOS晶体管II（9）与NMOS晶体管III（4）组成反相器II（12），PMOS晶体管III（10）与NMOS晶体管IV（5）组成反相器III（13），其中PMOS晶体管I（8）、PMOS晶体管II（9）、PMOS晶体管III（10）的漏极接电源，NMOS晶体管II（3）、NMOS晶体管III（4）、NMOS晶体管IV（5）的源极接地，反相器I（11）的输入端连接在NMOS晶体管I（2）的栅极，反相器I（11）输出端连接在反相器II（12）的输入端，反相器II（12）的输出端连接反相器III（13）的输入端；NMOS晶体管V（6）的栅极和漏极连接在反相器III（13）的输出端，源极接地；NMOS晶体管VI（7）漏极连接电源，栅极连接在反相器III（13）的输出端，源极接地。