[实用新型]一种使用 SiC 衬底的氮化物 LED 外延结构有效
| 申请号： | 201420699226.0 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN204167345U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 马亮;胡兵;李金权;裴晓将;刘素娟 | 申请（专利权）人： | 北京中科天顺信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 100085 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，包括SiC衬底、二维衍生膜及氮化物外延层，所述二维衍生膜位于所述SiC衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述SiC衬底的表面上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上；其中，所述二维衍生膜由一层或两层以上的二维纳米片材料制成，所述二维纳米片材料包括石墨烯、硅烯、六方氮化硼和三碳化硼中的任意一种或两种以上的组合。本实用新型在氮化物LED外延层与SiC衬底之制作一层或两层以上的二维衍生薄膜，使其既能保证氮化物外延层生长的顺利进行，又可以在剥离过程有助于衬底与外延层的分离，极大地简化了剥离过程，提高了良率、降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 sic 衬底 氮化物 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，其特征在于：包括SiC衬底、二维衍生膜及氮化物外延层，所述二维衍生膜位于所述SiC衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述SiC衬底的表面上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上；其中，所述二维衍生膜由一层或两层以上的二维纳米片材料制成，所述二维纳米片材料包括石墨烯、硅烯、六方氮化硼和三碳化硼中的任意一种或两种以上的组合。
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