[实用新型]脑深部电刺激装置有效
申请号: | 201420737318.3 | 申请日: | 2014-12-01 |
公开(公告)号: | CN204275292U | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 孙国祥 | 申请(专利权)人: | 苏州景昱医疗器械有限公司 |
主分类号: | A61N1/36 | 分类号: | A61N1/36 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种脑深部电刺激装置,包括刺激电路和刺激电极,所述刺激电路包括:与所述刺激电极连接的刺激生成模块,用于生成电刺激信号通过所述刺激电极输送到脑深部;连接所述刺激生成模块并为其提供电能的电源模块;与所述刺激生成模块连接的NFC模块,所述刺激生成模块通过所述NFC模块接收外部配合设置的NFC控制器的刺激参数,所述刺激生成模块根据所述刺激参数生成电刺激信号。本实用新型可以降低功耗,缩短通讯时间,从而提高内部电源模块的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 脑深部电 刺激 装置 | ||
【主权项】:
一种脑深部电刺激装置,其特征在于,包括刺激电路和刺激电极,所述刺激电路包括:与所述刺激电极连接的刺激生成模块,用于生成电刺激信号通过所述刺激电极输送到脑深部;连接所述刺激生成模块并为其提供电能的电源模块;与所述刺激生成模块连接的NFC模块,所述刺激生成模块通过所述NFC模块接收外部配合设置的NFC控制器的刺激参数,所述刺激生成模块根据所述刺激参数生成电刺激信号。
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